產品分類
SiC高溫氧化爐
所屬分類：
立式爐管設備
半導體芯片設備
SiC高溫氧化爐
概要：
?適用領域：化合物半導體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝：高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation
關鍵詞：
SiC高溫氧化爐
SiC高溫氧化爐
產品應用/Product Applications：
♦適用領域：化合物半導體 Relevant Industries: Compound Semiconductors
♦適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC)
♦晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch
♦適用工藝：高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation
技術指標 /Technical Parameters：
♦制程溫度范圍：800°C-1600°C Process Temperature Range: 800°C-1600°C
♦批次片數(shù): 50片 Batch Capacity: 50 pcs
上一個
LPCVD設備
下一個