產(chǎn)品分類(lèi)
聯(lián)系方式
PVT法長(zhǎng)晶爐——感應(yīng)爐
所屬分類(lèi)：
化合物晶體設(shè)備
PVT法單晶生長(zhǎng)設(shè)備
概要：
適用領(lǐng)域：?jiǎn)尉L(zhǎng) Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?Si、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸,8英寸多坩堝 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles
關(guān)鍵詞：
PVT法長(zhǎng)晶爐——感應(yīng)爐
PVT法長(zhǎng)晶爐——感應(yīng)爐
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
適用領(lǐng)域：?jiǎn)尉L(zhǎng) Relevant Industries: Single Crystal Growth
適用材料: Si、AIN Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride)
晶圓尺寸: 12/8/6/4英寸,8英寸多坩堝 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles
技術(shù)指標(biāo) /Technical Parameters：
制程溫度范圍：2400°C Process Temperature Range: 2400°C
加熱方式：感應(yīng)/電阻 Heating Method: Induction/Resistance
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提拉法單晶生長(zhǎng)設(shè)備
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